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13003H中文资料

  • 大小:351.31KB
  • 厂家:SEMTECH_ELEC[SEMTECH ELECTRONICS LTD.]
  • 描述:Dated: 22/08/2016 Rev: 02 CL ? SEMTECH ELECTRONICS LTD. 13003H NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for high voltage and high speed switching applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25℃) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage V CES 900 V Collector Emitter Voltage V CEO 500 V Emitter Base Voltage V EBO 9 V Collector Current (f ≥ 100 Hz, Duty cycle ≤ 50 %) I C 1.5 A Collector Current (tp < 5 ms) I CP 3 A Total Power Dissipation P tot 1.5 W Junction Temperature T j 150 ℃ Storage Temperature Range T stg - 65 to + 150 ℃ Characteristics at T a = 25℃ Parameter Symbol Min. Max. Unit DC Current Gain at V CE = 2 V, I C = 0.5 A at V CE = 2 V, I C = 1 A h FE h FE 8 5 35 25 - - Collector Emitter Cutoff Current at V CE = 900 V I CES - 1 mA Collector Emitter Breakdown Voltage at I C = 10 mA V (BR)CEO 500 - V Emitter Base Breakdown Voltage at I E = 10 mA V (BR)EBO 9 18 V Collect

13003H供应商

更新时间:2022-12-31 08:07:10
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